Схема включения полевого транзистора с общим затвором

схема включения полевого транзистора с общим затвором
Это обусловлено тем, что размеры перехода увеличиваются с повышением приложенного к нему обратного напряжения, а увеличение области, обедненной носителями заряда, приводит к повышению электрического сопротивления канала. Чем она больше, тем «острее» реакция транзистора на изменение напряжения на затворе. Поэтому для сохранения формы выходного сигнала обычно применяют двухтактные усилители, которые обеспечивают усиление как положительной, так и отрицательной полуволны входного сигнала.


Управление током между эмиттером и коллектором осуществляется изменением напряжения между базой и эмиттером, от которого зависят условия инжекции носителей заряда в базу. В полевом транзисторе ток протекает от истока до стока через канал под затвором. Наиболее часто в этом случае применяется режим класса С. Во всех рассмотренных ранее режимах работы максимальный входной ток, а, следовательно, и входное напряжение ограничиваются величинами, соответствующими границе между активным режимом работы и режимом насыщения. Для реализации данного режима работы входное напряжение должно принимать значение либо меньшее порогового напряжения Uбэ пор, либо большее Uвх мах, соответствующего границе активного режима работы и режима насыщения. При этом ввиду малого времени пробега носителей заряда через канал, который обычно имеет длину мкм, влиянием последнего обычно пренебрегают. Различают два вида полевых транзисторов: с управляющим переходом и с изолированным затвором. Нарисуйте схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером, общим коллектором и общей базой. 14. Нарисуйте схемы включения полевого транзистора с общим истоком, общим стоком и общим затвором.

Частотные свойства транзистора с ОБ наилучшие из всех способов включения. Усилитель ОЭ с фиксированным током базы Напомним, что наименование «усилитель ОЭ» означает, что это усилитель, в котором используется биполярный транзистор (Э – означает эмиттер). Причем последний включен так, что эмиттер является общим (буква О в наименовании) для входной цепи и цепи нагрузки. Это объясняется тем, что у ПТ с малым напряжением отсечки внутреннее (динамическое) сопротивление больше, чем у ПТ с большим напряжением отсечки. В качестве динамического сопротивления можно использовать и обычный биполярный транзистор.

Похожие записи: